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中芯国际N+1工艺可望年底量产,正与长江存储研发非美设备生产线?

木马童年 2020-10-8 14:00 29 0

媒体报道,第一代 FinFET 14 纳米已于 2019 年四季度量产;第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段,可望于 2020 年底小批量试产。梁孟松披露,中芯国际的下一代 N+1 工艺和 14nm 相比,性能提升了 20%,功耗降低了 5 ...

媒体报道,第一代 FinFET 14 纳米已于 2019 年四季度量产;第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段,可望于 2020 年底小批量试产。梁孟松披露,中芯国际的下一代 N+1 工艺和 14nm 相比,性能提升了 20%,功耗降低了 57%,逻辑面积缩小了 63%,SoC 面积减少了 55%。2019 年,14nm 工艺首次贡献了 1%的营收,约 768.9 万美元。如果 N+1 工艺能够尽快落地,对于中芯国际而言,无疑是强心剂。

中芯国际N+1工艺可望年底量产,正与长江存储研发非美设备生产线?

不过,当下国际大环境对中芯国际不太友好,想必正是因此,《日经亚洲评论》报道,中芯国际和长江存储计划研发非美设备生产线。报道称,中芯国际计划今年年底之前准备建设不含美国设备的 40nm 芯片生产线,并计划在三年内在相同的基础上研发更先进的 28nm 制程产线。该报道还表示,长江存储也准备将国内设备替代率从 30%提高到 70%。

之后,长江存储回应称,没有设定国产设备比重目标。铁流认为,就实现设备国产化替代而言,是当下必须做的,但难度很大,比较合适的方式的循序渐进,急切地短期设定高额指标并不可取,而且容易受人诟病,引来“懂王”的关注,进而引火烧身。

何况,在半导体设备上,西方厂商占据垄断性地位,国内设备商只占据市场 5%的份额,短期想要打造先进工艺全国产化生产线的难度非常高,这并非是一两家企业的问题,而是整个行业乃至工业基础上存在差距。这不是行政指导定几个指标就能实现的,必须十年如一日兢兢业业搞研发,才有希望循序渐进,一步一个脚印提升设备的国产化水平。就 28nm 工艺线而言,国外分析师认为,大陆没有能力建成非美生产线。

另外,购买到设备并非一劳永逸,正如大家的汽车在使用中需要保养,这些高端大气上档次的半导体设备,也是需要持续“保养”的,国外设备大厂都会有技术人员驻工厂提供技术支持,一旦国际局势风云突变,外商会撤走所有技术支持,晶圆厂会陷入非常尴尬的境地。

当下,国内企业最需要的是时间,低调做事,以十年为单位逐渐提升生产线的国产化水平。

芯片
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